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SiC-MOSFET-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Ic=300A@80°C, Vces=1200V, flaches (niedriginduktives) 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=75A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x91A@50°C, Vrrm=1200V, trr=40ns, Hersteller IXYS/Littelfuse

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=450A@100°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x123A@70°C, Vrrm=200V, trr=35ns, Hersteller IXYS/Littelfuse

IGBT-Modul, Einzelschalter, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=400A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

Siliziumkarbid-MOSFET im SOT-227-Gehäuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Hersteller IXYS/Littelfuse

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=150A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=200A@100°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x96A@70°C, Vrrm=600V, trr=35ns, Hersteller IXYS/Littelfuse

Doppel-Thyristormodul, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=500A@85°C, Vrrm/Vdrm=1800V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt die Module MCC501-12io2 und MCC501-14io2 ersetzen.